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抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加

抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加

抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加

A.Na+,K+,尤其是K+

B.Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+

C.Na+,Cl-,尤其是Na+

D.K+,Cl-,尤其是Cl-

E.K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+

答案:D

解析:抑制性突融后电位的形成是因为突触后膜对Cl-(为主)和K+的通透性升高,引起Cl-的内流和K+的外流,使膜内负电位更负,引进突触后神经元产生抑制。



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